Меню Каталог продукции
Параметры
Время записи (слово, страница):
Частота микросхемы памяти
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти

Память (Время записи (слово, страница) 60 нс)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 32Mb (4M x 8, 2M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Sharp Microelectronics
Время доступа к памяти: 60 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: -
Производитель: Sharp Microelectronics
Размер памяти: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 60 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Время записи (слово, страница) 60 нс)

в корзину