Меню Каталог продукции
Параметры
Время доступа к памяти:
Частота микросхемы памяти
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя

Память (Время доступа к памяти 90 нс)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-DIP керамический
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-DIP керамический
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-DIP керамический
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-DIP керамический
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (4K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (4K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (4K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (4K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 128Kb (8K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 128Kb (8K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 128Kb (8K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 128Kb (8K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (16K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 256Kb (16K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (16K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 256Kb (16K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (16K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 256Kb (16K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Время доступа к памяти 90 нс)

в корзину