Память (Время доступа к памяти 90 нс)
На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 16Kb (2K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 24-DIP керамический |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 16Kb (2K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 24-DIP керамический |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 16Kb (2K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 24-DIP керамический |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 16Kb (2K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 24-DIP керамический |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 64Kb (4K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 64Kb (4K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 64Kb (4K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 64Kb (4K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 128Kb (8K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 128Kb (8K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 128Kb (8K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 128Kb (8K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (16K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 256Kb (16K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (16K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 256Kb (16K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (16K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 90 нс |
| Время записи (слово, страница): | 90 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 256Kb (16K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
