Память (Тип интерфейс памяти параллельный)
На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 64Kb (8K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-DIP керамический |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 256Kb (32K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-DIP керамический |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 256Kb (32K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-DIP керамический |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 8K (1K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 8K (1K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | - |
| Тип монтажа/крепления: | - |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | 55 нс |
| Время записи (слово, страница): | 55 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 64Kb (8K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-DIP керамический |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | 35 нс |
| Время записи (слово, страница): | 35 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 64Kb (8K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-LCC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | 55 нс |
| Время записи (слово, страница): | 55 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 64Kb (8K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-LCC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | 55 нс |
| Время записи (слово, страница): | 55 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 64Kb (8K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-DIP керамический |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (4M x 18), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 72Mb (4M x 18) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 165-CCGA |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 250 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (4M x 18), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 72Mb (4M x 18) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 165-CCGA |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 250 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (4M x 18), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 72Mb (4M x 18) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 165-CCGA |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 250 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | 35 нс |
| Время записи (слово, страница): | 35 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 64Kb (8K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-LCC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | 35 нс |
| Время записи (слово, страница): | 35 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 64Kb (8K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-DIP керамический |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (2M x 36), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 72Mb (2M x 36) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 165-CCGA |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 250 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (2M x 36), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | Cypress Semiconductor Corp |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | Cypress Semiconductor Corp |
| Размер памяти: | 72Mb (2M x 36) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -55 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 165-CCGA |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 250 МГц |
