Меню Каталог продукции
Параметры
Тип интерфейс памяти:
Тип корпуса
NAND), 2G (64M X 32)(тип
NAND), 1G (32M X 32)(тип
NAND), 8Gb (512M X 16)(тип
Время записи (слово, страница)
NAND), 4G (128M X 32)(тип
NAND), 2G (64M X 32)(тип
Формат памяти
NAND), 2Gb (128M X 16)(тип
Температура рабочая, °C
NAND), 4G (128M X 32)(тип
Страна производителя
NAND), 2G (64M X 32)(тип
Размер памяти
NAND), 512M (32M X 16)(тип
Напряжение питания микросхемы памяти

Память (Тип интерфейс памяти параллельный)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP керамический
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP керамический
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP керамический
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 8K (1K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 8K (1K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP керамический
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 35 нс
Время записи (слово, страница): 35 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-LCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-LCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP керамический
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (4M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 72Mb (4M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 165-CCGA
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 250 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (4M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 72Mb (4M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 165-CCGA
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 250 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (4M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 72Mb (4M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 165-CCGA
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 250 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 35 нс
Время записи (слово, страница): 35 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-LCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 35 нс
Время записи (слово, страница): 35 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP керамический
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (2M x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 72Mb (2M x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 165-CCGA
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 250 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (2M x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 72Mb (2M x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 165-CCGA
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 250 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Тип интерфейс памяти параллельный)

в корзину