Меню Каталог продукции
Параметры
Время доступа к памяти:
Страна производителя:
Напряжение питания микросхемы памяти:
Частота микросхемы памяти
Время записи (слово, страница)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя

Память (Время доступа к памяти 2 мкс, 5 нс, Страна производителя не указана, Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 3 В - 3,6 В, 3 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 105
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 105
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 105
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 105
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 512Mb (32M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 512Mb (32M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 512Mb (32M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 512Mb (32M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (64M x 4), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (64M x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 128Mb (8M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 2 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 128Mb (8M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 105
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 128Mb (8M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): 2 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 128Mb (8M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-TFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Время доступа к памяти 2 мкс, 5 нс, Страна производителя не указана, Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 3 В - 3,6 В, 3 В - 5,25 В)

в корзину