Меню Каталог продукции
Параметры
Время доступа к памяти:
Страна производителя:
Напряжение питания микросхемы памяти:
Частота микросхемы памяти
Время записи (слово, страница)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя

Память (Время доступа к памяти 2 мкс, 100 нс, Страна производителя не указана, Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 3 В - 3,6 В, 3 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 20 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 20 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 20 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 20 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 20 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 20 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 20 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-EDIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 34-PowerCap модуль
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-EDIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-EDIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-EDIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Mb (128K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Mb (128K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Mb (128K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Время доступа к памяти 2 мкс, 100 нс, Страна производителя не указана, Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 3 В - 3,6 В, 3 В - 5,25 В)

в корзину