Память (Время доступа к памяти 2 мкс, 10 нс, Страна производителя не указана, Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 3 В - 3,6 В, 3 В - 5,25 В)
На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 256Kb (32K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 256Kb (32K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 28-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 48-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 48-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 48-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 44-TSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 44-TSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 44-TSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 48-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 44-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 44-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 44-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 44-TSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 44-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 10 нс |
| Время записи (слово, страница): | 10 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4Mb (256K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 48-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
