Память (Время доступа к памяти 2 мкс, Страна производителя не указана, Напряжение питания микросхемы памяти 1,71 В - 1,89 В, 2,85 В - 5,25 В, 3 В - 3,6 В, 3 В - 5,25 В)
На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,85 В - 5,25 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | 6-TSOC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,85 В - 5,25 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | 2-SFN |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 896b (112 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 896b (112 x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | 2-SFN |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,85 В - 5,25 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | 6-TSOC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 896b (112 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 896b (112 x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | SOT-23-3 |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 896b (112 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 896b (112 x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | 6-TSOC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 896b (112 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 896b (112 x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | 6-TSOC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 896b (112 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 896b (112 x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | 2-SFN |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 5,25 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | 6-TDFN |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 5,25 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | 6-TSOC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 5,25 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | 6-TSOC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 5,25 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | - |
| Тип монтажа/крепления: | - |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 5,25 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | TO-92-3 |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 5,25 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | TO-92-3 |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 896b (112 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
| Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
| Время доступа к памяти: | 2 мкс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 3,6 В |
| Производитель: | Maxim Integrated |
| Размер памяти: | 896b (112 x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
| Тип корпуса: | SOT-23-3 |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | EEPROM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
