Память (Размер памяти 1Mb (64K x 16))
На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 15 нс |
| Время записи (слово, страница): | 15 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 15 нс |
| Время записи (слово, страница): | 15 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 15 нс |
| Время записи (слово, страница): | 15 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 20 нс |
| Время записи (слово, страница): | 20 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 15 нс |
| Время записи (слово, страница): | 15 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 15 нс |
| Время записи (слово, страница): | 15 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 15 нс |
| Время записи (слово, страница): | 15 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 20 нс |
| Время записи (слово, страница): | 20 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 20 нс |
| Время записи (слово, страница): | 20 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 20 нс |
| Время записи (слово, страница): | 20 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 20 нс |
| Время записи (слово, страница): | 20 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 20 нс |
| Время записи (слово, страница): | 20 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 12 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 12 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 12 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 4,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 1Mb (64K x 16) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 100-TQFP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | - |
