Меню Каталог продукции
Параметры
Размер памяти:
Частота микросхемы памяти
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти

Память (Размер памяти 1Mb (64K x 16))

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 12 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 12 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 12 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Размер памяти 1Mb (64K x 16))

в корзину