Меню Каталог продукции
Параметры
Формат памяти:
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса
Производитель
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти

Память (Формат памяти PCM (PRAM))

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 115 нс
Время записи (слово, страница): 115 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный, SPI
Тип корпуса: 56-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 115 нс
Время записи (слово, страница): 115 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный, SPI
Тип корпуса: 64-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 360 мкс
Время записи (слово, страница): 350 мкс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 16-SOIC широкий
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: 33 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 360 мкс
Время записи (слово, страница): 350 мкс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 16-SOIC широкий
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: 66 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 64Mb (8M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 280 мкс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 64Mb (8M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 16-SOIC широкий
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: 66 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 32Mb (4M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 280 мкс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 32Mb (4M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 16-SOIC широкий
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: 66 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 135 нс
Время записи (слово, страница): 135 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -30 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный, SPI
Тип корпуса: 56-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 135 нс
Время записи (слово, страница): 135 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -30 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный, SPI
Тип корпуса: 64-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 135 нс
Время записи (слово, страница): 135 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -30 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный, SPI
Тип корпуса: 56-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 135 нс
Время записи (слово, страница): 135 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -30 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный, SPI
Тип корпуса: 64-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 115 нс
Время записи (слово, страница): 115 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный, SPI
Тип корпуса: 56-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 115 нс
Время записи (слово, страница): 115 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,6 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный, SPI
Тип корпуса: 64-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: PCM (PRAM)
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Формат памяти PCM (PRAM))

в корзину