Память (Формат памяти PCM (PRAM))
На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | 115 нс |
| Время записи (слово, страница): | 115 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 128Mb (16M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный, SPI |
| Тип корпуса: | 56-TSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | 115 нс |
| Время записи (слово, страница): | 115 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 128Mb (16M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный, SPI |
| Тип корпуса: | 64-BGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | 360 мкс |
| Время записи (слово, страница): | 350 мкс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 128Mb (16M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI |
| Тип корпуса: | 16-SOIC широкий |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | 33 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | 360 мкс |
| Время записи (слово, страница): | 350 мкс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 128Mb (16M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI |
| Тип корпуса: | 16-SOIC широкий |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | 66 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 64Mb (8M x 8), интерфейс: SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | 280 мкс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 64Mb (8M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI |
| Тип корпуса: | 16-SOIC широкий |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | 66 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 32Mb (4M x 8), интерфейс: SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | 280 мкс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 32Mb (4M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI |
| Тип корпуса: | 16-SOIC широкий |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | 66 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | 135 нс |
| Время записи (слово, страница): | 135 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 128Mb (16M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -30 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный, SPI |
| Тип корпуса: | 56-TSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | 135 нс |
| Время записи (слово, страница): | 135 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 128Mb (16M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -30 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный, SPI |
| Тип корпуса: | 64-BGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | 135 нс |
| Время записи (слово, страница): | 135 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 128Mb (16M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -30 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный, SPI |
| Тип корпуса: | 56-TSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | 135 нс |
| Время записи (слово, страница): | 135 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 128Mb (16M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -30 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный, SPI |
| Тип корпуса: | 64-BGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | 115 нс |
| Время записи (слово, страница): | 115 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 128Mb (16M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный, SPI |
| Тип корпуса: | 56-TSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), PCM (PRAM), 128Mb (16M x 8), интерфейс: параллельный, SPI..
| Бренд (производитель): | Micron Technology Inc. |
| Время доступа к памяти: | 115 нс |
| Время записи (слово, страница): | 115 нс |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,7 В - 3,6 В |
| Производитель: | Micron Technology Inc. |
| Размер памяти: | 128Mb (16M x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный, SPI |
| Тип корпуса: | 64-BGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | PCM (PRAM) |
| Частота микросхемы памяти: | - |
Показано с 1 по 12 из 12 (страниц: 1)
