Память (Формат памяти NVSRAM)
На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 1Mb (128K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-DIP |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 1Mb (128K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-TSSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 1Mb (128K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 1Mb (128K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-DIP |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 1Mb (128K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-TSSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 1Mb (128K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 1Mb (128K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-TSSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 1Mb (128K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 1Mb (128K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 512Kb (64K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 512Kb (64K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-TSSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 512Kb (64K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 512Kb (64K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 512Kb (64K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 512Kb (64K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 125 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-DIP |
| Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 1Mb (128K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-TSSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 512Kb (64K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 512Kb (64K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-TSSOP |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 512Kb (64K x 8), интерфейс: SPI - Dual I/O..
| Бренд (производитель): | Microchip Technology |
| Время доступа к памяти: | - |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,5 В - 5,5 В |
| Производитель: | Microchip Technology |
| Размер памяти: | 512Kb (64K x 8) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
| Тип интерфейс памяти: | SPI - Dual I/O |
| Тип корпуса: | 8-SOIC |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
| Формат памяти: | NVSRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 20 МГц |
