Память (Тип корпуса -, 2-SFN, TO-92-3, Время записи (слово, страница) -, Формат памяти EEPROM, Напряжение питания микросхемы памяти 2,97 В - 3,63 В, 3 В - 5,25 В)
На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
Время доступа к памяти: | 2 мкс |
Время записи (слово, страница): | - |
Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 5,25 В |
Производитель: | Maxim Integrated |
Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
Страна производителя: | не указана |
Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
Тип корпуса: | - |
Тип монтажа/крепления: | - |
Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
Формат памяти: | EEPROM |
Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
Время доступа к памяти: | 2 мкс |
Время записи (слово, страница): | - |
Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 5,25 В |
Производитель: | Maxim Integrated |
Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
Страна производителя: | не указана |
Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
Тип корпуса: | TO-92-3 |
Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
Формат памяти: | EEPROM |
Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
Время доступа к памяти: | 2 мкс |
Время записи (слово, страница): | - |
Напряжение питания микросхемы памяти: | 3 В - 5,25 В |
Производитель: | Maxim Integrated |
Размер памяти: | 1Kb (256 x 4) |
Страна производителя: | не указана |
Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
Тип корпуса: | TO-92-3 |
Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
Формат памяти: | EEPROM |
Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 512b (512 x 1), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
Время доступа к памяти: | 2 мкс |
Время записи (слово, страница): | - |
Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,97 В - 3,63 В |
Производитель: | Maxim Integrated |
Размер памяти: | 512b (512 x 1) |
Страна производителя: | не указана |
Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
Тип корпуса: | 2-SFN |
Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
Формат памяти: | EEPROM |
Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 512b (512 x 1), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
Время доступа к памяти: | 2 мкс |
Время записи (слово, страница): | - |
Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,97 В - 3,63 В |
Производитель: | Maxim Integrated |
Размер памяти: | 512b (512 x 1) |
Страна производителя: | не указана |
Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
Тип корпуса: | 2-SFN |
Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
Формат памяти: | EEPROM |
Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 512b (512 x 1), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
Время доступа к памяти: | 2 мкс |
Время записи (слово, страница): | - |
Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,97 В - 3,63 В |
Производитель: | Maxim Integrated |
Размер памяти: | 512b (512 x 1) |
Страна производителя: | не указана |
Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
Тип корпуса: | - |
Тип монтажа/крепления: | - |
Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
Формат памяти: | EEPROM |
Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (4K x 1), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
Время доступа к памяти: | 2 мкс |
Время записи (слово, страница): | - |
Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,97 В - 3,63 В |
Производитель: | Maxim Integrated |
Размер памяти: | 4Kb (4K x 1) |
Страна производителя: | не указана |
Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
Тип корпуса: | 2-SFN |
Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
Формат памяти: | EEPROM |
Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (4K x 1), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
Время доступа к памяти: | 2 мкс |
Время записи (слово, страница): | - |
Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,97 В - 3,63 В |
Производитель: | Maxim Integrated |
Размер памяти: | 4Kb (4K x 1) |
Страна производителя: | не указана |
Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
Тип корпуса: | 2-SFN |
Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
Формат памяти: | EEPROM |
Частота микросхемы памяти: | - |
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (4K x 1), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): | Maxim Integrated |
Время доступа к памяти: | 2 мкс |
Время записи (слово, страница): | - |
Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,97 В - 3,63 В |
Производитель: | Maxim Integrated |
Размер памяти: | 4Kb (4K x 1) |
Страна производителя: | не указана |
Температура рабочая, °C: | -40 ... 85 |
Тип интерфейс памяти: | однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина |
Тип корпуса: | TO-92-3 |
Тип монтажа/крепления: | в сквозные отверстия - ТНТ |
Тип памяти микросхемы: | энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM) |
Формат памяти: | EEPROM |
Частота микросхемы памяти: | - |
Показано с 1 по 9 из 9 (страниц: 1)
