Меню Каталог продукции
Параметры
Частота микросхемы памяти:
Частота микросхемы памяти
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти

Память (Частота микросхемы памяти 200 МГц)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 9Mb (256K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 9Mb (256K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4,5Mb (256K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 4,5Mb (256K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4,5Mb (256K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 4,5Mb (256K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (512K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 9Mb (512K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (512K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 9Mb (512K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (512K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 9Mb (512K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (128K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 2Mb (128K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (128K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 2Mb (128K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 9Mb (256K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 9Mb (256K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 9Mb (256K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (64K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 2Mb (64K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (64K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 2Mb (64K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4,5Mb (128K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 3,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,4 В - 2,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 4,5Mb (128K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-CABGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Частота микросхемы памяти 200 МГц)

в корзину