Память (Частота микросхемы памяти 200 МГц)
На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 9Mb (256K x 36) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 1,7 В - 1,9 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 9Mb (256K x 36) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4,5Mb (256K x 18), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4,5Mb (256K x 18) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4,5Mb (256K x 18), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4,5Mb (256K x 18) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (512K x 18), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 9Mb (512K x 18) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (512K x 18), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 9Mb (512K x 18) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (512K x 18), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 9Mb (512K x 18) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (128K x 18), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 2Mb (128K x 18) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (128K x 18), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 2Mb (128K x 18) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 9Mb (256K x 36) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 9Mb (256K x 36) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 9Mb (256K x 36) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (64K x 36), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 2Mb (64K x 36) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (64K x 36), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 2Mb (64K x 36) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4,5Mb (128K x 36), интерфейс: параллельный..
| Бренд (производитель): | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Время доступа к памяти: | 3,4 нс |
| Время записи (слово, страница): | - |
| Напряжение питания микросхемы памяти: | 2,4 В - 2,6 В |
| Производитель: | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Размер памяти: | 4,5Mb (128K x 36) |
| Страна производителя: | не указана |
| Температура рабочая, °C: | 0 ... 70 |
| Тип интерфейс памяти: | параллельный |
| Тип корпуса: | 256-CABGA |
| Тип монтажа/крепления: | поверхностный монтаж - SMD |
| Тип памяти микросхемы: | энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM) |
| Формат памяти: | SRAM |
| Частота микросхемы памяти: | 200 МГц |
