Меню Каталог продукции
Параметры
Uкэ при Uзэ, Iк:
Температура рабочая, °C
Схема IGBT модуля
Входная емкость при Uкэ
Мощность IGBT модуля, Вт
Тип входа IGBT-модуля
Тип монтажа/крепления
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В
Uкэ при Uзэ, Iк
Наличие термистора NTC
Тип корпуса
Ток коллектора, А
Ток коллектора в режиме отсечки
Тип IGBT

Модули IGBT (Uкэ при Uзэ, Iк 3В при 15В, 80А)

На странице:
Сортировка:
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 160А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 3В при 15В, 80А
Входная емкость при Uкэ: 8,5 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 500
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 150
Тип IGBT: -
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 1 мА
Ток коллектора, А: 160
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте

в корзину