Меню Каталог продукции
Параметры
Uкэ при Uзэ, Iк:
Температура рабочая, °C
Схема IGBT модуля
Входная емкость при Uкэ
Мощность IGBT модуля, Вт
Тип входа IGBT-модуля
Тип монтажа/крепления
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В
Uкэ при Uзэ, Iк
Наличие термистора NTC
Тип корпуса
Ток коллектора, А
Ток коллектора в режиме отсечки
Тип IGBT

Модули IGBT (Uкэ при Uзэ, Iк 3,6В при 15В, 200А)

На странице:
Сортировка:
IGBT-модуль, полумост, 1200В, 330А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 3,6В при 15В, 200А
Входная емкость при Uкэ: 16,9 нФ при 30В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1316
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: полумост
Температура рабочая, °C: 150
Тип IGBT: -
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: INT-A-PAK двойной
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 5 мА
Ток коллектора, А: 330
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте

в корзину