Меню Каталог продукции
Параметры
Uкэ при Uзэ, Iк:
Температура рабочая, °C
Схема IGBT модуля
Входная емкость при Uкэ
Мощность IGBT модуля, Вт
Тип входа IGBT-модуля
Тип монтажа/крепления
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В
Uкэ при Uзэ, Iк
Наличие термистора NTC
Тип корпуса
Ток коллектора, А
Ток коллектора в режиме отсечки

Модули IGBT (Uкэ при Uзэ, Iк 2,4В при 15В, 450А)

На странице:
Сортировка:
IGBT-модуль, трехфазный (3-фазный), 1200В, 640А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,4В при 15В, 450А
Входная емкость при Uкэ: 33 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 2200
Наличие термистора NTC: есть
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: трехфазный (3-фазный)
Температура рабочая, °C: от -40 до 125
Тип IGBT: NPT (устойчивость к пробою)
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: E+
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 1 мА
Ток коллектора, А: 640
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте

в корзину