Меню Каталог продукции
Параметры
Ток коллектора в режиме отсечки:
Температура рабочая, °C
Мощность IGBT модуля, Вт
Тип монтажа/крепления
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В
Наличие термистора NTC
Тип корпуса
Ток коллектора, А

Модули IGBT (Ток коллектора в режиме отсечки 750 мкА)

На странице:
Сортировка:
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 120А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 3В при 15В, 75А
Входная емкость при Uкэ: 5,32 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 521
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 150
Тип IGBT: NPT (устойчивость к пробою)
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 120
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 75А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 3,9В при 15В, 45А
Входная емкость при Uкэ: 4 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 329
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 150
Тип IGBT: PT
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 75
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 460А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,5В при 15В, 400А
Входная емкость при Uкэ: 18 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1400
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: не указана
Тип IGBT: NPT (устойчивость к пробою)
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: D3
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 460
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 460А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,5В при 15В, 400А
Входная емкость при Uкэ: 18 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1400
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: NPT (устойчивость к пробою)
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: D3
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 460
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1700В, 400А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,4В при 15В, 300А
Входная емкость при Uкэ: 26,5 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1660
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1700
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SP6
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 400
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, двойной, с общим истоком (ОИ), 1700В, 400А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,4В при 15В, 300А
Входная емкость при Uкэ: 26,5 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1660
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1700
Схема IGBT модуля: двойной, с общим истоком (ОИ)
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SP6
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 400
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1700В, 400А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,4В при 15В, 300А
Входная емкость при Uкэ: 26,5 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1660
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1700
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SP6
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 400
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, полумост, 1700В, 400А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,4В при 15В, 300А
Входная емкость при Uкэ: 26,5 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1660
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1700
Схема IGBT модуля: полумост
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SP6
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 400
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 560А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,1В при 15В, 400А
Входная емкость при Uкэ: 28 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1785
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SP6
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 560
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 580А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,1В при 15В, 400А
Входная емкость при Uкэ: 29 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 2100
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: D3
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 580
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, двойной, с общим истоком (ОИ), 1200В, 560А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,1В при 15В, 400А
Входная емкость при Uкэ: 28 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1785
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: двойной, с общим истоком (ОИ)
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SP6
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 560
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 560А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,1В при 15В, 400А
Входная емкость при Uкэ: 28 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1785
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SP6
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 560
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 580А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,1В при 15В, 400А
Входная емкость при Uкэ: 29 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 2100
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: D3
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 580
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, полумост, 1200В, 560А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,1В при 15В, 400А
Входная емкость при Uкэ: 28 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 1785
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: полумост
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SP6
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 560
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, полумост, 1200В, 580А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,1В при 15В, 400А
Входная емкость при Uкэ: 29 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 2100
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: полумост
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: D3
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 750 мкА
Ток коллектора, А: 580
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте

в корзину