Меню Каталог продукции
Параметры
Мощность IGBT модуля, Вт:
Температура рабочая, °C
Схема IGBT модуля
Входная емкость при Uкэ
Мощность IGBT модуля, Вт
Тип входа IGBT-модуля
Тип монтажа/крепления
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В
Uкэ при Uзэ, Iк
Наличие термистора NTC
Тип корпуса
Ток коллектора, А
Ток коллектора в режиме отсечки
Тип IGBT

Модули IGBT (Мощность IGBT модуля, Вт 575)

На странице:
Сортировка:
IGBT-модуль, полумост, 1200В, 200А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,2В при 15В, 100А
Входная емкость при Uкэ: 13,7 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 575
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: полумост
Температура рабочая, °C: от -40 до 150
Тип IGBT: -
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: POWIR 34
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 1 мА
Ток коллектора, А: 200
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте

в корзину