Меню Каталог продукции
Параметры
Мощность IGBT модуля, Вт:
Температура рабочая, °C
Схема IGBT модуля
Входная емкость при Uкэ
Мощность IGBT модуля, Вт
Тип входа IGBT-модуля
Тип монтажа/крепления
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В
Наличие термистора NTC
Тип корпуса
Ток коллектора, А
Ток коллектора в режиме отсечки
Тип IGBT

Модули IGBT (Мощность IGBT модуля, Вт 2119)

На странице:
Сортировка:
IGBT-модуль, полумост, 1200В, 530А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 3,6В при 15В, 300А
Входная емкость при Uкэ: 25,3 нФ при 30В
Мощность IGBT модуля, Вт: 2119
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: полумост
Температура рабочая, °C: 150
Тип IGBT: -
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: INT-A-PAK двойной
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 5 мА
Ток коллектора, А: 530
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, полумост, 1200В, 600А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,15В при 15В, 400А
Входная емкость при Uкэ: 28,8 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 2119
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: полумост
Температура рабочая, °C: 150
Тип IGBT: Trench
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: INT-A-PAK двойной
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 5 мА
Ток коллектора, А: 600
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте

в корзину