Меню Каталог продукции
Параметры
Входная емкость при Uкэ
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В
Uкэ при Uзэ, Iк
Наличие термистора NTC

Модули IGBT

На странице:
Сортировка:
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 58А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,5В при 15В, 30А
Входная емкость при Uкэ: 1,85 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 192
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: не указана
Тип IGBT: NPT (устойчивость к пробою)
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 40 мкА
Ток коллектора, А: 58
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 45А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,4В при 15В, 25А
Входная емкость при Uкэ: 1,43 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 170
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 175
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 250 мкА
Ток коллектора, А: 45
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 45А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 3,7В при 15В, 25А
Входная емкость при Uкэ: 1,65 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 227
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: не указана
Тип IGBT: NPT (устойчивость к пробою)
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 250 мкА
Ток коллектора, А: 45
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 195А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,5В при 15В, 200А
Входная емкость при Uкэ: 8,65 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 500
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 150
Тип IGBT: NPT (устойчивость к пробою)
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 25 мкА
Ток коллектора, А: 195
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 283А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 1,85В при 15В, 200А
Входная емкость при Uкэ: 14,1 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 682
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 175
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 25 мкА
Ток коллектора, А: 283
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 283А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 1,85В при 15В, 200А
Входная емкость при Uкэ: 14,1 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 682
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 175
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 50 мкА
Ток коллектора, А: 283
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 283А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 1,85В при 15В, 200А
Входная емкость при Uкэ: 14,1 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 682
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 175
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 50 мкА
Ток коллектора, А: 283
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 283А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 1,85В при 15В, 200А
Входная емкость при Uкэ: 14,1 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 682
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 175
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 25 мкА
Ток коллектора, А: 283
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 30А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 3,7В при 15В, 15А
Входная емкость при Uкэ: 1 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 156
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: не указана
Тип IGBT: NPT (устойчивость к пробою)
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 250 мкА
Ток коллектора, А: 30
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 170А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 3,7В при 15В, 150А
Входная емкость при Uкэ: 9,3 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 830
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 150
Тип IGBT: NPT (устойчивость к пробою)
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 150 мкА
Ток коллектора, А: 170
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 220А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 1,85В при 15В, 150А
Входная емкость при Uкэ: 9,2 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 536
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 175
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 50 мкА
Ток коллектора, А: 220
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 220А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 1,85В при 15В, 150А
Входная емкость при Uкэ: 9,2 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 536
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 175
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 25 мкА
Ток коллектора, А: 220
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 215А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,1В при 15В, 150А
Входная емкость при Uкэ: 9,5 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 625
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 300 мкА
Ток коллектора, А: 215
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 1200В, 215А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,1В при 15В, 150А
Входная емкость при Uкэ: 9,5 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 625
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 1200
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 150
Тип IGBT: Trench Field Stop
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 100 мкА
Ток коллектора, А: 215
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
IGBT-модуль, одиночный, 600В, 148А..
Uкэ при Uзэ, Iк: 2,5В при 15В, 100А
Входная емкость при Uкэ: 5,15 нФ при 25В
Мощность IGBT модуля, Вт: 500
Наличие термистора NTC: нет
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В: 600
Схема IGBT модуля: одиночный
Температура рабочая, °C: от -55 до 150
Тип IGBT: NPT (устойчивость к пробою)
Тип входа IGBT-модуля: стандартный
Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP)
Тип монтажа/крепления: под винты
Ток коллектора в режиме отсечки: 50 мкА
Ток коллектора, А: 148
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте

Модули IGBT

в корзину