Меню Каталог продукции
Параметры
Время доступа к памяти:
Производитель
Тип памяти микросхемы
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Время доступа к памяти 350 нс)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-TSSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-TSSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-TDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-TSSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-TDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 4Kb (256 x 8 x 2), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 350 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 3,6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 4Kb (256 x 8 x 2)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-TSSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Время доступа к памяти 350 нс)

в корзину