Меню Каталог продукции
Параметры
Время доступа к памяти:
Производитель
Тип памяти микросхемы
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Время доступа к памяти 195 пс)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 195 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,425 В - 1,575 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-TWBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 195 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,425 В - 1,575 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-TWBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 195 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,425 В - 1,575 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-TWBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 195 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,425 В - 1,575 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-TWBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 195 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,425 В - 1,575 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-TWBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 195 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,425 В - 1,575 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-TWBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 195 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,425 В - 1,575 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-TWBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 195 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,425 В - 1,575 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-TWBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Время доступа к памяти 195 пс)

в корзину