Меню Каталог продукции
Параметры
Время доступа к памяти:
Производитель
Тип памяти микросхемы
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Время доступа к памяти 140 нс)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 140 нс
Время записи (слово, страница): 140 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 140 нс
Время записи (слово, страница): 140 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 140 нс
Время записи (слово, страница): 140 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 140 нс
Время записи (слово, страница): 140 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 140 нс
Время записи (слово, страница): 140 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 140 нс
Время записи (слово, страница): 140 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Время доступа к памяти 140 нс)

в корзину