Меню Каталог продукции
Параметры
Тип корпуса:
Производитель
Тип памяти микросхемы
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Тип корпуса 90-BGA)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 64Mb (2M x 32), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 5,5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 3,15 В - 3,45 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 64Mb (2M x 32)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 90-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 143 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 64Mb (2M x 32), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 5,5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 3,15 В - 3,45 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 64Mb (2M x 32)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 90-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 143 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 64Mb (2M x 32), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 5,5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 3,15 В - 3,45 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 64Mb (2M x 32)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 90-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 143 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 64Mb (2M x 32), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 5,5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 3,15 В - 3,45 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 64Mb (2M x 32)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 90-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 143 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 64Mb (2M x 32), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 5,5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 3,15 В - 3,45 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 64Mb (2M x 32)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 90-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 143 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 64Mb (2M x 32), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 5,5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 3,15 В - 3,45 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 64Mb (2M x 32)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 90-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 143 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 64Mb (2M x 32), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 5,5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 3,15 В - 3,45 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 64Mb (2M x 32)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 90-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 143 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 64Mb (2M x 32), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 5,5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 3,15 В - 3,45 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 64Mb (2M x 32)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 90-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 143 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Тип корпуса 90-BGA)

в корзину