Меню Каталог продукции
Параметры
Тип корпуса:
Производитель
Тип памяти микросхемы
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Тип корпуса 121-FBGA (BGA усилен)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 512Mb (32M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,14 В - 1,95 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 512Mb (32M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -30 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 121-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 333 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 512Mb (32M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,14 В - 1,95 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 512Mb (32M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -30 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 121-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 333 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 512Mb (32M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,14 В - 1,3 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 512Mb (32M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -25 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 121-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 400 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 512Mb (32M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,14 В - 1,3 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 512Mb (32M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -25 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 121-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 400 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 512Mb (32M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,14 В - 1,3 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 512Mb (32M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -25 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 121-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 400 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Тип корпуса 121-FBGA (BGA усилен)

в корзину