Меню Каталог продукции
Параметры
Температура рабочая, °C:
Производитель
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Температура рабочая, °C -10 ... 70)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (64 x 16), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): AKM Semiconductor Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 0,9 В - 3,6 В
Производитель: AKM Semiconductor Inc.
Размер памяти: 1Kb (64 x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -10 ... 70
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-TSSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Sharp Microelectronics
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Sharp Microelectronics
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -10 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Sharp Microelectronics
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Sharp Microelectronics
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -10 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Sharp Microelectronics
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Sharp Microelectronics
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -10 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Температура рабочая, °C -10 ... 70)

в корзину