Меню Каталог продукции
Параметры
Страна производителя:
Напряжение питания микросхемы памяти:
Производитель
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Страна производителя не указана, Напряжение питания микросхемы памяти 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (16K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (16K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 128Kb (8K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (16K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 128Kb (16K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (4K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 40 нс
Время записи (слово, страница): 40 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (4K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 40 нс
Время записи (слово, страница): 40 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (4K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 40 нс
Время записи (слово, страница): 40 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 128Kb (8K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 40 нс
Время записи (слово, страница): 40 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 128Kb (8K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (8K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 40 нс
Время записи (слово, страница): 40 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 128Kb (8K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (16K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 128Kb (16K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 128Kb (16K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 40 нс
Время записи (слово, страница): 40 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 128Kb (16K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (4K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В - 2,6 В, 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (4K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 100-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Страна производителя не указана, Напряжение питания микросхемы памяти 1,7 В - 1,9 В, 2,4 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину