Меню Каталог продукции
Параметры
Размер памяти:
Производитель
Тип памяти микросхемы
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Размер памяти 256Kb (64K x 4))

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (64K x 4), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (64K x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (64K x 4), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (64K x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (64K x 4), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (64K x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (64K x 4), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (64K x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Размер памяти 256Kb (64K x 4))

в корзину