Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Производитель
Тип памяти микросхемы
Время записи (слово, страница)
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 4,75 В - 5,5 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 200 нс
Время записи (слово, страница): 200 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 150 нс
Время записи (слово, страница): 150 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 85 нс
Время записи (слово, страница): 85 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 200 нс
Время записи (слово, страница): 200 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 150 нс
Время записи (слово, страница): 150 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 85 нс
Время записи (слово, страница): 85 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 1Mb (128K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 1Mb (128K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 120 нс
Время записи (слово, страница): 120 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 1Mb (128K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 85 нс
Время записи (слово, страница): 85 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 120 нс
Время записи (слово, страница): 120 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 8Mb (1M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 8Mb (1M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 36-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 4Mb (512K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 85 нс
Время записи (слово, страница): 85 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 4Mb (512K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Texas Instruments
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,5 В
Производитель: Texas Instruments
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP модуль
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 4,75 В - 5,5 В)

в корзину