Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 4,75 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ON Semiconductor
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: ON Semiconductor
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ON Semiconductor
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: ON Semiconductor
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ON Semiconductor
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: ON Semiconductor
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ON Semiconductor
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: ON Semiconductor
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ON Semiconductor
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: ON Semiconductor
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ON Semiconductor
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: ON Semiconductor
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ON Semiconductor
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: ON Semiconductor
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 2Mb (256K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ON Semiconductor
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: ON Semiconductor
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-EDIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 150 нс
Время записи (слово, страница): 150 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-EDIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 150 нс
Время записи (слово, страница): 150 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-EDIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 120 нс
Время записи (слово, страница): 120 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-EDIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 120 нс
Время записи (слово, страница): 120 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-EDIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 100 нс
Время записи (слово, страница): 100 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,75 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 24-EDIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 4,75 В - 5,25 В)

в корзину