Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Производитель
Тип памяти микросхемы
Время записи (слово, страница)
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 4,5 В - 6 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 900 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 400 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 900 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 400 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 900 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 400 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 900 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 400 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 900 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 400 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 900 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 6 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 400 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 2-SFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 4,5 В - 6 В)

в корзину