Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 3 В - 3,6 В)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (512K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 12 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 36-плоский корпус
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 83 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (512K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 12 нс
Время записи (слово, страница): 12 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -55 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 36-плоский корпус
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 83 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 68-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 68-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 68-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 64-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 64-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 64-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 68-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 64-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 68-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 68-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 15 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 64-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 64-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 20 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 3 В - 3,6 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 64-TQFP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 3 В - 3,6 В)

в корзину