Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Производитель
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2 В - 3,6 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 2Mb (128K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 2Mb (128K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 44-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 2Mb (128K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 2Mb (128K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 44-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 44-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 1Mb (64K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 90 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 1Mb (64K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 44-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-DFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-TDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 2Mb (256K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 25 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 2Mb (256K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 2Mb (256K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 25 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 128Kb (16K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 128Kb (16K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 128Kb (16K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 130 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 128Kb (16K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 3,4 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 128Kb (16K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 130 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 128Kb (16K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 3,4 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2 В - 3,6 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2 В - 3,6 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину