Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Производитель
Тип памяти микросхемы
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,7 В - 3,65 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 4Kb (512 x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Kb (512 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 4Kb (512 x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Kb (512 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 16 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 16 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 2-SFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 550 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 550 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: I2C..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 550 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: I2C
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,65 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,7 В - 3,65 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину