Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,7 В - 3,3 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (2M x 8, 1M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 110 мс
Время записи (слово, страница): 50 мкс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-uBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (2M x 8, 1M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 50 мкс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (2M x 8, 1M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 50 мкс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-CBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (2M x 8, 1M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 50 мкс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (1M x 8, 512K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 50 мкс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-CBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (128K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 2Mb (128K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (128K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 55 нс
Время записи (слово, страница): 55 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 2Mb (128K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (128K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 2Mb (128K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 2Mb (128K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 2Mb (128K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), PSRAM, 8Mb (512K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 8Mb (512K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: PSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), PSRAM, 8Mb (512K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 8Mb (512K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: PSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), PSRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (256K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: PSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), PSRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (256K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: PSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), PSRAM, 4Mb (256K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (256K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-VFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: PSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), PSRAM, 16Mb (1M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,7 В - 3,3 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 16Mb (1M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: PSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,7 В - 3,3 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину