Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,5 В - 3,6 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 70 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 2,5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 2,5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 2,5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 2,5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 85 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 2,5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 2,5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 2,5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 2,5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-TSSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 4Mb (512K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 2,5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 4Mb (512K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 125
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (1M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 8Mb (1M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (1M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 8Mb (1M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (1M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 8Mb (1M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (1M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,5 В - 3,6 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 8Mb (1M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,5 В - 3,6 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину