Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 2,375 В - 2,625 В)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 4,2 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 4,2 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 4,2 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 4,2 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 4,2 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 4,2 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 18Mb (512K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): IDT, Integrated Device Technology Inc
Время доступа к памяти: 4,2 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,375 В - 2,625 В
Производитель: IDT, Integrated Device Technology Inc
Размер памяти: 18Mb (512K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 119-PBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,85 В - 5,25 В, 2,375 В - 2,625 В)

в корзину