Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,3 В - 2,7 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-TFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-TFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-TFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-TFBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 64Mb (2M x 32), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 700 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,3 В - 2,7 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 64Mb (2M x 32)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 66-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 2,3 В - 2,7 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину