Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Тип памяти микросхемы
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,8 В - 5,5 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 8-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 8-MSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: TO-92-3
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: Die
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: Die
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: Die
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 8-TDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 8-MSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 2Kb (256 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Kb (256 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 8-MSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (128 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 1Kb (128 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: SOT-23-3
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 2Kb (256 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Kb (256 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: Die
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 2Kb (256 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Kb (256 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 8-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 2Kb (256 x 8), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,8 В - 5,5 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 2Kb (256 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: Die
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: 100 кГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,8 В - 5,5 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину