Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Тип памяти микросхемы
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,7 В - 2 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 128Mb (16M x 8), интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 150 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI - Quad I/O, QPI
Тип корпуса: 21-WLCSP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 128Mb (16M x 8), интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 150 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI - Quad I/O, QPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 128Mb (16M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 150 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 128Mb (16M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 32Mb (4M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 150 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 32Mb (4M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 32Mb (4M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 150 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 32Mb (4M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-USON
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 64Mb (8M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 150 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 64Mb (8M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 64Mb (8M x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 150 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 64Mb (8M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 104 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 2-SFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (64M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 110 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (64M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 56-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (64M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 110 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (64M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 56-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (64M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 110 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (64M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 56-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 1Gb (64M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 110 нс
Время записи (слово, страница): 110 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (64M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 56-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 128Mb (8M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 85 нс
Время записи (слово, страница): 85 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 2 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 128Mb (8M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 56-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 40 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,7 В - 2 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину