Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,7 В - 1,95 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-TSSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-TSSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-TSSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 64Kb (8K x 8), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 64Kb (8K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-TSSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 20 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -25 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-FPBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -25 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-FPBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5,5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 5,5 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 54-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 256Mb (16M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,7 В - 1,95 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 256Mb (16M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-FPBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 166 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,7 В - 1,95 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину