Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,65 В - 1,95 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (256 байт x 4096 страниц), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 15 мкс, 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 8Mb (256 байт x 4096 страниц)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 66 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (256 байт x 4096 страниц), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 8 мкс, 3 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 8Mb (256 байт x 4096 страниц)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (256 байт x 4096 страниц), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 8 мкс, 3 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 8Mb (256 байт x 4096 страниц)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (256 байт x 4096 страниц), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 8 мкс, 3 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 8Mb (256 байт x 4096 страниц)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (256 байт x 8192 страниц), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 8 мкс, 3 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 16Mb (256 байт x 8192 страниц)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (256 байт x 4096 страниц), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 8 мкс, 3 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 8Mb (256 байт x 4096 страниц)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-WLCSP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (256 байт x 4096 страниц), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 8 мкс, 3 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 8Mb (256 байт x 4096 страниц)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (256 байт x 8192 страниц), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 8 мкс, 3 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 16Mb (256 байт x 8192 страниц)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (256 байт x 8192 страниц), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 8 мкс, 3 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 16Mb (256 байт x 8192 страниц)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (256 байт x 8192 страниц), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Adesto Technologies
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): 8 мкс, 3 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Adesto Technologies
Размер памяти: 16Mb (256 байт x 8192 страниц)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-UDFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: 100 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (1M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 80 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 16Mb (1M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (1M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 80 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 16Mb (1M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-CBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (1M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 80 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 16Mb (1M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-TSOP
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 16Mb (1M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 80 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 16Mb (1M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-CBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), FLASH, 8Mb (1M x 8, 512K x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Microchip Technology
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 70 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,65 В - 1,95 В
Производитель: Microchip Technology
Размер памяти: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 48-CBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: FLASH
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,65 В - 1,95 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину