Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Производитель
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,55 В - 1,9 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 2-SFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 1Gb (256M x 4), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 400 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,55 В - 1,9 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (256M x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 400 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 450 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,55 В - 1,9 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 333 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 1Gb (128M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 400 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,55 В - 1,9 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (128M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 400 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 1Gb (64M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 450 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,55 В - 1,9 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (64M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 84-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 333 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 1Gb (64M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 400 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,55 В - 1,9 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (64M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 84-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 400 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 1Gb (64M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 400 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,55 В - 1,9 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (64M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 84-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 400 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (512M x 4), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 400 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,55 В - 1,9 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 2Gb (512M x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 400 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (256M x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 400 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,55 В - 1,9 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 2Gb (256M x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 400 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 1Gb (256M x 4), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Micron Technology Inc.
Время доступа к памяти: 450 пс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,55 В - 1,9 В
Производитель: Micron Technology Inc.
Размер памяти: 1Gb (256M x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 60-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 333 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,55 В - 1,9 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину