Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Производитель
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,42 В - 1,58 В, 1,7, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (64K x 72), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (64K x 72)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 484-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4,5Mb (256K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4,5Mb (256K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 167 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 3,3 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (256K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (256K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 167 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (512K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 3,3 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (512K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (512K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (512K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 167 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (512K x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (512K x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 167 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (64K x 72), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (64K x 72)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 484-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 167 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 4Mb (64K x 72), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 4Mb (64K x 72)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 484-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (128K x 72), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (128K x 72)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 167 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (128K x 72), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (128K x 72)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 167 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (128K x 72), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (128K x 72)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 484-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 167 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (128K x 72), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (128K x 72)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 484-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (128K x 72), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 4,4 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (128K x 72)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 484-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 133 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 9Mb (256K x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: 3,3 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,42 В - 1,58 В, 1,7 В - 1,9 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 9Mb (256K x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 256-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 200 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,42 В - 1,58 В, 1,7, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину