Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,283 В - 1,45 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 105
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 105
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 105
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 105
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 2Gb (128M x 16), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Alliance Memory, Inc.
Время доступа к памяти: 20 нс
Время записи (слово, страница): 15 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,283 В - 1,45 В
Производитель: Alliance Memory, Inc.
Размер памяти: 2Gb (128M x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 95
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 96-FBGA (BGA усиленный)
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,283 В - 1,45 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину