Меню Каталог продукции
Параметры
Напряжение питания микросхемы памяти:
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,28 В - 1,42 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 2-SFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (32M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 10 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (32M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 1,066 ГГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (32M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 10 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (32M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 1,066 ГГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (32M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 12 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (32M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (32M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 12 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (32M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 800 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (32M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 8 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (32M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (32M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 8 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (32M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (32M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 10 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (32M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (32M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 10 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (32M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (32M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 8 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (32M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 1,066 ГГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (32M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 8 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (32M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 1,066 ГГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (16M x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 10 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (16M x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), DRAM, 576Mb (16M x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Время доступа к памяти: 10 нс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,28 В - 1,42 В
Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Размер памяти: 576Mb (16M x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 168-FC(LF)BGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: DRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Напряжение питания микросхемы памяти 1,28 В - 1,42 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину