Меню Каталог продукции
Параметры
Тип монтажа/крепления:
Напряжение питания микросхемы памяти:
Производитель
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Бренд (производитель)
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Размер памяти
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Тип монтажа/крепления поверхностный монтаж, Напряжение питания микросхемы памяти 1,26 В - 1,34 В, 2,85 В - 5,25 В)

На странице:
Сортировка:
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 144Mb (4M x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,26 В - 1,34 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 144Mb (4M x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 361-FCBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 633 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 144Mb (8M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,26 В - 1,34 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 144Mb (8M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 361-FCBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 144Mb (8M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,26 В - 1,34 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 144Mb (8M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 361-FCBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 1066 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 144Mb (8M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,26 В - 1,34 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 144Mb (8M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 361-FCBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 667 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 144Mb (8M x 18), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,26 В - 1,34 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 144Mb (8M x 18)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 361-FCBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 633 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 72Mb (2M x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,26 В - 1,34 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 72Mb (2M x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 361-FCBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 144Mb (4M x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,26 В - 1,34 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 144Mb (4M x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 361-FCBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 933 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM), SRAM, 144Mb (4M x 36), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Cypress Semiconductor Corp
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 1,26 В - 1,34 В
Производитель: Cypress Semiconductor Corp
Размер памяти: 144Mb (4M x 36)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 361-FCBGA
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергозависимая память (временная, ОЗУ, ROM)
Формат памяти: SRAM
Частота микросхемы памяти: 667 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 2-SFN
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 1Kb (256 x 4), интерфейс: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина..
Бренд (производитель): Maxim Integrated
Время доступа к памяти: 2 мкс
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 2,85 В - 5,25 В
Производитель: Maxim Integrated
Размер памяти: 1Kb (256 x 4)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: однопроводной протокол - двунаправленная (общая) шина
Тип корпуса: 6-TSOC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Тип монтажа/крепления поверхностный монтаж, Напряжение питания микросхемы памяти 1,26 В - 1,34 В, 2,85 В - 5,25 В)

в корзину