Меню Каталог продукции
Параметры
Бренд (производитель):
Производитель
Тип памяти микросхемы
Тип интерфейс памяти
Время записи (слово, страница)
Тип монтажа/крепления
Формат памяти
Время доступа к памяти
Температура рабочая, °C
Страна производителя
Напряжение питания микросхемы памяти
Частота микросхемы памяти
Тип корпуса

Память (Бренд (производитель) Intersil)

На странице:
Сортировка:
-..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: -
Производитель: Intersil
Размер памяти: -
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -
Тип интерфейс памяти: -
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: -
Формат памяти: -
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 512Kb (64K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: 120 нс
Время записи (слово, страница): 10 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 512Kb (64K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 32-PLCC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256b (16 x 16), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 256b (16 x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256b (16 x 16), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 256b (16 x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 256b (16 x 16), интерфейс: SPI..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 256b (16 x 16)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: SPI
Тип корпуса: 8-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: 1 МГц
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 16Kb (2K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: 35 нс
Время записи (слово, страница): 35 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 16Kb (2K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-SOIC
Тип монтажа/крепления: поверхностный монтаж - SMD
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), NVSRAM, 4Kb (512 x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: 150 нс
Время записи (слово, страница): 150 нс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 4Kb (512 x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: 0 ... 70
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: 28-DIP
Тип монтажа/крепления: в сквозные отверстия - ТНТ
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: NVSRAM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
-..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: -
Время записи (слово, страница): -
Напряжение питания микросхемы памяти: -
Производитель: Intersil
Размер памяти: -
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -
Тип интерфейс памяти: -
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: -
Формат памяти: -
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: 150 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: 120 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: 120 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM), EEPROM, 256Kb (32K x 8), интерфейс: параллельный..
Бренд (производитель): Intersil
Время доступа к памяти: 90 нс
Время записи (слово, страница): 5 мс
Напряжение питания микросхемы памяти: 4,5 В - 5,5 В
Производитель: Intersil
Размер памяти: 256Kb (32K x 8)
Страна производителя: не указана
Температура рабочая, °C: -40 ... 85
Тип интерфейс памяти: параллельный
Тип корпуса: -
Тип монтажа/крепления: -
Тип памяти микросхемы: энергонезависимая память (постоянная, ПЗУ, RAM)
Формат памяти: EEPROM
Частота микросхемы памяти: -
Добавить в корзину

Количество на складе
уточняйте
Память (Бренд (производитель) Intersil)

в корзину